Kluczowa różnica: Statyczna pamięć RAM (SRAM) i dynamiczna pamięć RAM (DRAM) to dwa typy pamięci RAM (Random Access Memory). Obie są różne od siebie w wielu kontekstach, takich jak szybkość, pojemność itp. Różnice te występują z powodu różnicy w technice wykorzystywanej do przechowywania danych. DRAM używa pojedynczego tranzystora i kondensatora dla każdej komórki pamięci, podczas gdy każda komórka pamięci SRAM wykorzystuje układ 6 tranzystorów. DRAM wymaga odświeżania, podczas gdy SRAM nie wymaga odświeżania komórki pamięci. Oba zachowują dane do momentu dostarczenia energii.

Pamięć półprzewodnikową można sklasyfikować jako pamięć lotną i nieulotną. Pamięć losowa (RAM) pamięci ulotnej składa się z dwóch typów - SRAM i DRAM. RAM oznacza, że ​​poszczególne lokalizacje pamięci są dostępne bezpośrednio przez adres. SRAM oznacza statyczną pamięć o dostępie swobodnym, a DRAM oznacza dynamiczną pamięć o dostępie swobodnym.

Te pamięci to pamięć RAM (Random Access Memory) i są one niestabilne, co oznacza, że ​​nie są przechowywane przez dłuższy czas. Pamięć RAM może być również określana jako pamięć robocza w komputerze. SRAM i DRAM zarówno tracą dane po usunięciu zasilania. Jednak DRAM musi być okresowo odświeżany.

Podstawową różnicą między nimi jest technologia wykorzystywana do przechowywania danych. Z powodu tej kluczowej różnicy powstają również inne różnice. SRAM wykorzystuje zamki do przechowywania danych (obwód tranzystora), natomiast DRAM wykorzystuje kondensatory do przechowywania bitów w postaci ładunku. SRAM wykorzystuje normalną technologię CMOS o wysokiej prędkości do budowy, podczas gdy DRAM wykorzystuje specjalne procesy DRAM w celu uzyskania zoptymalizowanej wysokiej gęstości. Dynamiczne pamięci RAM mają prostą wewnętrzną strukturę niż w porównaniu z SRAM.

SRAM jest szybszy niż w porównaniu z DRAM. Jednak DRAM jest mniejszy i tańszy na bit. Czas cyklu pamięci SRAM jest większy niż czas pamięci DRAM, a pamięć DRAM ma większą pojemność niż pamięć SRAM. DRAM jest używana jako pamięć główna, podczas gdy pamięć podręczna na chipie to zazwyczaj SRAM.

SRAM zostały zaprojektowane przede wszystkim w celu spełnienia dwóch głównych wymagań: 1. Zapewnienia bezpośredniego interfejsu z procesorem przy prędkościach, których nie można osiągnąć dzięki pamięciom DRAM 2. Odnaleźć pamięci DRAM w tych systemach, które wymagają niskiego zużycia energii.

Porównanie SRAM (Static Random Access Memory) i DRAM (Dynamic Random Access Memory):

	SRAM	NAPARSTEK
Definicja	Jest to rodzaj pamięci RAM. SRAM zasadniczo używa zatrzasków do przechowywania ładunku.	Jest to również rodzaj pamięci RAM. DRAM wykorzystuje kondensatory do przechowywania bitów w postaci ładunku.
Prędkość	Szybciej	Wolniej
Rozmiar	Większy	Mniejszy
Koszt	Droższe za bit	Tańsze za bit
Wymóg obwodowego obwodu	Stosunkowo mniej	Stosunkowo więcej
Rodzaj	Stosunkowo mniej powszechne	Stosunkowo częściej
Pojemność (ta sama technologia)	Mniej	5 do 10 razy więcej niż SRAM
Aplikacje	Zasadniczo w mniejszych aplikacjach, takich jak pamięć podręczna procesora i bufory dysków twardych	Powszechnie używana jako główna pamięć w komputerach osobistych
Rodzaje	Asynchroniczna SRAM Synchroniczna pamięć SRAM Pipeline Burst SRAM	Tryb szybkiej strony DRAM Extended Data Out DRAM Burst EDO DRSSM Synchroniczna pamięć DRAM
Dostęp	Łatwy	Trudniej
Budowa	Trudny	Prosty
Pobór energii	Mniej	Więcej
Gęstość	Mała gęstość / mniej pamięci na chip	Wysoka gęstość / więcej pamięci na chip